内藤電誠工業株式会社評価部は、半導体製品の信頼性評価(耐候性試験)/実装評価(耐熱性試験)/調査解析(外観/非破壊/半破壊/破壊)を行います。

内藤電誠グループ/内藤電誠工業株式会社 評価部

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導体抵抗システムでは微小クラック等を抵抗値の変化により判定する事が可能です。
リフロー耐熱試験ではベーク・吸湿・リフローまでの試験を行います。
熱抵抗測定ではLSIを基板に組み込む際の判断材料として適用していただけます。

信頼性評価事例
温度サイクル連続抵抗モニター評価  --T/Cによる導通抵抗の変化をリアルタイムで測定--
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Datalogger:type2750(KEITHLEY)
No of differential input channels 200
Martrix crosspoints 240
Ohms resolution 1μΩ
No of slots 5
Size(2U height) Full-rack width
Communications GPIB.RS-232
Scan-Rate(memory) 230/S
Scan-Rate(bus) 210/S
Max.internal Trigger Rate 2000/S
Max.External Trigger Rate 375/S
導体抵抗変化図
導体抵抗変化図

統計的手法解析例
統計的手法解析例

 導体抵抗評価事例
 弊社では導体抵抗評価システム(AMR)を取り入れ、TC試験機と連動させることで半導体部品などの接合部に発生する微小クラックをより正確に捉える事が可能です。

導体抵抗評価事例
 
リフロー耐熱性試験
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 リフロー温度プロファイル例
リフロー温度プロファイル例

 耐熱性試験
 リフロー耐熱試験では実際の実装工程の環境を再現しリフローを行う事により試験体のリフロー耐熱性、不良傾向及び不良原因を確認する事ができます。

恒温槽
恒温槽

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恒温恒湿槽
恒温恒湿槽
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リフロー炉

リフロー炉
半導体デバイスの
吸湿した水分を脱湿。
半導体デバイスの
吸湿耐性水準に合わせ吸湿。
指定された温度条件にて
リフローを必要回数実施。

 不具合イメージ例:PBGA(Plastic Ball Grid Array)

不具合イメージ例:PBGA(Plastic Ball Grid Array)
 
熱抵抗測定  逆バイアス発熱法(製品サンプルで測定可能)
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【熱抵抗とは】

温度の伝えにくさを表す値で、発熱量あたりの温度上昇量を表したもの。
半導体パッケージを基板に組み込む際の判断材料として適用して頂けます。


・熱抵抗測定器(TRM-7110A)を独自に開発
  逆バイアス発熱法を使ってTEGサンプル、製品サンプル※の熱抵抗測定が可能。
  JEDEC規格に準拠した測定を行うことができ、風洞などの測定環境も取り揃えております。
※サンプル仕様によっては測定出来ない可能性があります。

・基板作成から熱抵抗測定まで一貫したサポートをご提供
  発熱検証、基板設計・実装、熱抵抗測定までサンプルの熱抵抗測定の全てをサポートすることができます。
※サンプル仕様によっては測定出来ない可能性があります。

熱抵抗測定システム:TRM-7110A(当社開発システム)
熱抵抗測定システム:TRM-7110A(当社開発システム)
JEDEC規格対応 無風風洞

JEDEC規格対応 風速風洞
JEDEC規格対応 風速風洞


測定項目  θja (ジャンクション‐周囲温度間抵抗)
 ψjt (ジャンクション‐PKG top間熱パラメーター)
 ジャンクション温度=チップ温度
測定環境  風洞:JEDEC規格準拠(JEDEC51-2、51-6)
 周囲温度:常温  風速:0〜4m/sec
測定サンプル  ダイオード温度特性のとれるPKG
 発熱実験を行い、測定可能か検証をいたします
加熱用出力電源  最大出力電流:2A  最大出力電圧:5V
測定Ch数  2ch
測定に必要な情報  パッケージ外形図 ピン端子表
 チップ内ブロック図(発熱エリアを検証するため)

熱シミュレーション対応可能 オプション:熱シミュレーション対応可能
【メリット】
■熱抵抗実測結果の検証
 測定した熱抵抗が妥当な値であるかを検証できます。

■熱抵抗測定のパラメーター変更における影響の検証
 樹脂変更、ステージ露出のはんだ有り無しなどの影響に
 ついて提案できます。
 
ハイパワー恒温恒湿試験機(ARS-1100-J)
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より厳しさを求められる環境試験(車載用部品、モバイル製品など)の試験要求にお応えします。
弊社ではハイパワー恒温恒湿試験機を導入し、幅広い温湿度環境下での耐性試験に対応可能です。

ハイパワー恒温恒湿試験機 ハイパワー恒温恒湿試験機

温湿度制御可能範囲図
ハイパワー恒温恒湿試験機(ARS-1100-J)


 試験例
 ISO16750-4 温度プロファイル例
試験例

 特徴

1.幅広い温湿度制御範囲
 低温側−75℃、高温側+180℃、湿度10〜98%rhの温湿度制御範囲を実現可能です。
 ⇒従来機より低温度域の拡大や高温域での湿度制御が可能です。

2. 95℃/98%rhでの安定した温湿度制御を実現
 95℃/98%rhの高温高湿度域で安定した温湿度制御が行えます。

3. 優れた温度上昇・下降性能
 試料負荷50kgで約3℃/分の温度サイクル試験(-75℃〜+180℃)が可能です。
 ⇒無負荷時の温度変化:約4℃/分(-49.5℃〜+154.5℃)

4. 処理量拡大を実現した大型槽
 内容量1100Lにより大型試料も試験可能です。
 ⇒テストエリア:W1100mm×H1000mm×D1000mm

 
冷熱衝撃装置(TSA-73EH-W 300℃タイプ)
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次世代パワー半導体向け300℃仕様冷熱衝撃装置を新たに導入。
幅広い温度領域での環境試験に対応可能です。

冷熱衝撃装置(TSA-73EH-W 300℃タイプ)

試験槽内
冷熱衝撃装置(TSA-73EH-W 300℃タイプ)

モニタ
冷熱衝撃装置(TSA-73EH-W 300℃タイプ)


 特徴
 幅広い温度制御範囲
  低温側:−70℃〜0℃
  高温側:+300℃〜+60℃
  ⇒従来機(Max+200℃)
  高温度域の拡大制御が可能です。(テストエリア雰囲気)
  高テストエリア内寸:W410×H460×D370mm

 次世代パワー半導体と試験要求

次世代パワー半導体の需要拡大
 次世代パワー半導体(Sic、GaN等)は従来のパワー半導体(Si)と比較し
 ・電力損失提言→効率向上・省エネ
 ・高温動作可能(200℃〜)→冷却機構の小型化・省略可能        
 の様な利点があり需要拡大が期待されています。

次世代パワー半導体試験要求
 次世代パワー半導体は大電流により高温域での使用が想定されており
 現状試験機の限界温度+200℃を超える温度での耐熱性が求められます。

 

 

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